Активний ультразвук як інструмент інженерії дефектів у напівпровідниках: публікації

Категорія Наукові групи

Posted on 17 October 2022.

Olikh O., Lytvyn P. « Defect engineering using microwave processing in SiC and GaAs », Semiconductor Science and Technology, 2022, vol.37, Is.7, 075006; https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac6f17
Olikh O., Kostylyov V., Vlasiuk V., Korkishko R., Chupryna R. «Intensification of iron–boron complex association in silicon solar cells under acoustic wave action », Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2022, vol.33, is.13, p. 13133-13142; https://doi.org/10.1007/s10854-022-08252-3
Olikh O., Lozitsky O., Zavhorodnii O. «Estimation for iron contamination in Si solar cell by ideality factor: Deep neural network approach», Progress in Photovoltaics: Research and Applications, 2022, vol.30, is.6, p. 648-660; https://doi.org/10.1002/pip.3539
Olikh O.Ya., Kostylyov , Vlasiuk V., Korkishko R., Olikh Ya., Chupryna R. «Features of FeB pair light-induced dissociation and repair in silicon n+-p–p+ structures under ultrasound loading», Journal of Applied Physics, 2021, vol.130, is.23, 235703; https://doi.org/10.1063/5.0073135
Vlasiuk V., Korkishko R., Kostylyov V., Olikh O. «Kinetics of Light-Induced Processes Due to Iron Impurities in Silicon Solar Cells», Proceedings of 2021 International Conference on Electrical, Computer, Communications and Mechatronics Engineering (ICECCME), 2021, P. 1-6; https://doi.org/1109/ICECCME52200.2021.9591025
Olikh O.Ya., Zavhorodnii O.V. «Modeling of ideality factor value in n+-p-p+-Si structure», Журнал фізичних досліджень, 2020, Т. 24, №4, 4701; https://doi.org/10.30970/jps.24.4701
Olikh Ya. , Tymochko M. D., Olikh O.Ya. «Mechanisms of two-stage conductivity relaxation in CdTe:Cl with ultrasound», Journal of Electronic Materials, 2020, vol.49, is.8, P. 4524-4530; https://doi.org/10.1007/s11664-020-08179-7
Gorb A.M., Korotchenkov O.A., Olikh O.Ya., Podolian A.O., Chupryna R.G. «Inﬂuence of γ-irradiation and ultrasound treatment on current mechanism in Au-SiO₂-Si structure», Solid State Electronics, 2020, vol.165, 107712; https://doi.org/10.1016/j.sse.2019.107712
Оліх Я.М., Тимочко М.Д., Оліх О.Я. «Акустоіндуковані температурні особливості електропровідності в CdZ
Olikh O., Lytvyn P. « Defect engineering using microwave processing in SiC and GaAs », Semiconductor Science and Technology, 2022, vol.37, Is.7, 075006; https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac6f17
Olikh O., Kostylyov V., Vlasiuk V., Korkishko R., Chupryna R. «Intensification of iron–boron complex association in silicon solar cells under acoustic wave action », Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2022, vol.33, is.13, p. 13133-13142; https://doi.org/10.1007/s10854-022-08252-3
Olikh O., Lozitsky O., Zavhorodnii O. «Estimation for iron contamination in Si solar cell by ideality factor: Deep neural netwnTe:Cl, обумовлені метастабільними DX-центрами», Оптоелектроника и полупроводниковая техника, 2019, T. 54, C. 134-138
Olikh O.Ya. «Relationship between the ideality factor and the iron concentration in silicon solar cells», Superlattices and Microstructures, 2019, vol.136, 106309; https://doi.org/10.1016/j.spmi.2019.106309
Olikh O.Ya. «Acoustically driven degradation in single crystalline silicon solar cell», Superlattices and Microstructures, 2018, vol.117, p. 173-188
Olikh O.Ya., Gorb A.M., Chupryna R.G., Pristay-Fenenkov O.V. «Acousto-defect interaction in irradiated and non-irradiated silicon n⁺–p structures», Journal of Applied Physics, 2018, vol.123, is.16, 161573
Olikh Ya. M., Tymochko M. D., Olikh O.Ya., Shenderovsky V. A. «Clusters of point defects near dislocations as a tool to control CdZnTe electrical parameters by ultrasound», Journal of Electronic Materials, 2018, vol.47, is.8, P. 4370-4378
Оліх Я.М., Тимочко М.Д., Сафрюк Н.В., Ілащук М.І., Оліх О.Я. «Дослідження «придислокаційних» кластерів точкових дефектів у кристалах CdZnTe методом акусто-Холла», Оптоелектроника и полупроводниковая техника, 2018, T. 52, C.108-122
Olikh O. Ya., Voitenko K. V., Burbelo R. M., Olikh Ja. M. «Eﬀect of ultrasound on reverse leakage current of silicon Schottky barrier structure», Journal of Semiconductors, 2016, vol.37, is.12, 122002
Olikh O.Ya., Voytenko K.V. «On the mechanism of ultrasonic loading effect in silicon-based Schottky diodes», Ultrasonics, 2016, vol.66, p. 1-3
Olikh O.Ya. «Review and test of methods for determination of the Schottky diode parameters», Journal of Applied Physics, 2015, vol.118, is.2, 024502
Olikh O.Ya., Voytenko K.V., Burbelo R.M. «Ultrasound influence on I–V–T characteristics of silicon Schottky barrier structure», Journal of Applied Physics, 2015, vol.117, is.4, 044505
Olikh O.Ya. «Reversible influence of ultrasound on γ-irradiated Mo/n-Si Schottky barrier structure», Ultrasonics, 2015, vol.56, p. 545-550
Лисюк І.О., Оліх Я.М., Оліх О.Я., Бекетов Г.В. «Особливості дислокаційного поглинання ультразвуку в безсубблочних кристалах Cd_0,2Hg_0,8Te», УФЖ, 2014, т. 59, №1, с. 50-57
Оліх О.Я. «Особливості впливу ультразвуку на перенесення заряду в кремнієвих структурах з бар’єром Шотки залежно від дози γ-опромінення», Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2013, т.10, №1, с.47-55
Олих О.Я. «Влияние ультразвукового нагружения на протекание тока в структурах Mo/n–n⁺-Si c барьером Шоттки», Физика и техника полупроводников, 2013, т. 47, №7, с. 979-984
Оліх О.Я. «Особливості перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром Шотки», УФЖ, 2013, т. 58, №2, с. 126-134
Olikh O.Ya. «Non-Monotonic g-Ray Influence on Mo/n-Si Schottky Barrier Structure Properties», Nuclear Science, IEEE Transactions on, 2013, vol.60, is.1, part 2, p.394-401
Олих О.Я. «Особенности динамических акустоиндуцированных изменений фотоэлектрических параметров кремниевых солнечных элементов», Физика и техника полупроводников, 2011, т. 45, №6, с. 816-822
Оліх Я.М., Оліх О.Я. «Інформаційний чинник акустичної дії на структуру дефектних комплексів у напівпровідниках», Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2011, т.2 (8), №2, с.5-12
Оліх О.Я. «Особливості впливу нейтронного опромінення на динамічну акустодефектну взаємодію у кремнієвих сонячних елементах», УФЖ, 2010, т. 55, №7, с. 770-776
Gorb A.M., Korotchenkov O. A., Olikh O.Ya., Podolian A.O. «Ultrasonically Recovered Performance of g-Irradiated Metal-Silicon Structures», Nuclear Science, IEEE Transactions on, 2010, vol.57, іs.3, р.1632-1639
Lytvyn P.M., Olikh O.Ya., Lytvyn O.S., Dyachyns’ka O.M., Prokopenko I.V. «Ultrasonic assisted nanomanipulations with atomic force microscope», Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010, vol. 13, №.1, р.36-42
Олих О.Я. «Изменение активности рекомбинационных центров в кремниевых p-n-структурах в условиях акустического нагружения», Физика и техника полупроводников, 2009, т. 43, №6, c. 774-779
Курилюк В.В., Горб А.М., Коротченков О.О., Оліх О.Я. «Вплив ультразвуку на вольт-амперні характеристики гетероструктур GaAs/AlGaAs», Вісник Київського ун-ту, Сер.: Фізико-математичні науки, 2007, №3, c. 298-300
Оліх О.Я., Бурбело Р.М., Хіндерс М.К. «Робота кремнієвих сонячних елементів в умовах акустичного навантаження мегагерцового діапазону», Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2007, т.4, №3, с.40-45
Olikh O.Ya., Burbelo R., Hinders M. «The Dynamic Ultrasound Influence on Diffusion and Drift of the Charge Carriers in Silicon p-n Structures», Mater. Res. Soc. Symp. Proc, V.994: Semiconductor Defect Engineering – Materials, Synthetic, Structures and Devices II, edited by S.Ashok, P.Kiesel, J.Chevallier, T.Ogino, Warrendale, PA, 2007, F03-11
Олих О.Я., Пинчук Т.Н. «Акустостимулированные коррекции вольт-амперных характеристик арсенид-галлиевых структур с контактом Шоттки», Письма в Журнал Технической Физики, 2006, Т. 32, №12, С. 22-27
Конакова Р.В., Литвин П.М., Олих О.Я. «Влияние микроволновой обработки на уровень остаточной деформации и параметры глубоких уровней монокристаллах карбида кремния», Физика и химия обработки материалов, 2005, №2, с.19-22
Конакова Р.В., Литвин П.М., Олих О.Я. «Влияние микроволновой обработки на глубокие уровни монокристаллов GaAs и SiC», Петербургский журнал электроники, 2004, №1, с.20-24
Olikh Ja.М., Olikh O.Ya. «Active ultrasound effects in the future usage in sensor electronics», Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2004, т.1, №1, с.19-29
Olikh O.Ya. «Acoustoelectric transient spectroscopy of microwave treated GaAs-based structures», Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, vol. 6, N.4, p.450-453
Оліх О.Я. «Акустостимульовані динамічні ефекти в сонячних елементах на основі кремнію», Вісник Київського ун-ту, Сер.: Фізико-математичні науки, 2003, №4, c. 408-414
Олих О.Я., Островский И.В. «Увеличение длины диффузии электронов в кристаллах р-кремния под действием ультразвука», Физика твердого тела, 2002, т. 44, №7, с. 1198-1202
Ostrovskii I.V., Korotchenkov O.A., Olikh O.Ya., Podolyan A.A., Chupryna R.G., Torres-Cisneros M. «Acoustically driven optical phenomena in bulk and low-dimensional semiconductors», Journal of Optics A: Pure and Applied Optics, 2001, vol. 3, N 4, p.S82-S86
Оліх О.Я., Островський І.В. «Вплив ультразвуку на довжину дифузії неосновних носіїв заряду в кремнії», Вісник Київського ун-ту, Сер.: Фізико-математичні науки, 2000, №2, c. 529-534
Островський І.В., Оліх О.Я. «Про можливості керування ефективністю фотоелектричного перетворення в шаруватих структурах п’єзоелектрик-напівпровідник за допомогою ультразвуку», Оптоелектроника и полупроводниковая техника, 1999, т. 34, c.56-60
Ostrovskii I.V., Olikh O.Ya. «Characterization of interface deep levels in as vapor grown epi-GaAs», Solid State Communication, 1998, vol. 107, N 7, p.341-343.
Ostrovskii I.V., Saiko S.V., Olikh O.Ya., Walther H.G. «Acousto-electric study of interface trapping defects in GaAs epitaxial structures», Журнал фізичних досліджень, 1998, т. 2, №1, с.143-149
Островський І.В., Оліх О.Я. «Акустоелектрична релаксаційна спектроскопія газофазних епітаксіальних структур GaAs:Te», Вісник Київського ун-ту, Сер.: Фізико-математичні науки, 1996, №2, c. 310-315